【物性物理学】トポロジカル絶縁体積層構造の作製によるスキルミオン形成に成功 低消費電力エレクトロニクスに新原理
要旨
理化学研究所(理研)創発物性科学研究センター強相関物性研究グループの安田憲司研修生(東京大学大学院工学系研究科 大学院生)、十倉好紀グループディレクター(同 教授)、強相関界面研究グループの川﨑雅司グループディレクター(同 教授)、強相関理論研究グループの若月良平研修生(同 大学院生)、永長直人グループディレクター(同 教授)、東北大学金属材料研究所の塚﨑敦教授らの共同研究グループ※は、トポロジカル絶縁体[1]である(Bi1-ySby)2Te3(Bi:ビスマス、Sb:アンチモン、Te:テルル)薄膜上に、磁性元素Cr(クロム)を添加したトポロジカル絶縁体Crx(Bi1-ySby)2-xTe3を積層させた構造の作製により微小な渦状の磁気構造である磁気スキルミオン[2]を生成することに成功し、スキルミオン生成の新たな設計指針を見出しました。
