【技術】東北大など、次世代半導体の寿命長く 材料の製造法開発
東北大学や日本製鋼所、三菱ケミカルの研究グループは、次世代半導体の基板材料として期待されている窒化ガリウム(GaN)結晶の新しい製造手法を開発した。結晶中にできる微細な空洞の数が従来手法に比べて最大1000分の1程度に減り、半導体の寿命延長につながる可能性がある。三菱ケミカルは同手法を活用して2022年中にGaN基板のサンプルを出荷し、23年度以降に量産することを目指す。
2ちゃんねるニュース速報+ナビ
東北大学や日本製鋼所、三菱ケミカルの研究グループは、次世代半導体の基板材料として期待されている窒化ガリウム(GaN)結晶の新しい製造手法を開発した。結晶中にできる微細な空洞の数が従来手法に比べて最大1000分の1程度に減り、半導体の寿命延長につながる可能性がある。三菱ケミカルは同手法を活用して2022年中にGaN基板のサンプルを出荷し、23年度以降に量産することを目指す。
このサイトは5ちゃんねる(旧2ちゃんねる)のニュース速報+系掲示板の書き込みを自動解析し、人気の高いニュース及び最新のニュースをリアルタイムで提供しています。
2NN現在閲覧者数 6203人/10min
5ちゃんねる(旧2ちゃんねる)ニュース速報+系掲示板の情報をそれぞれ1分~10分間隔で自動取得・解析更新しています。
開発・運営:中島竜馬