フラッシュメモリーの記憶容量が1000倍になる新材料を広島大学が発見
広島大学大学院理学研究科の西原禎文准教授らは、市販の不揮発性メモリーに比べて1000倍以上の情報を収納できるフラッシュメモリーの開発につながる分子を発見した。内部に空洞があるカゴ状の分子を使い、情報を記録するメモリーとして機能することを突き止めた。フラッシュメモリーなど記憶装置の大容量化・小型化が期待される。
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