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【半導体デバイス】東工大、水素と触媒反応を活用して低接触抵抗「IGZO-TFT」の開発に成功
東工大、水素と触媒反応を活用して低接触抵抗「IGZO-TFT」の開発に成功東京工業大学(東工大)は4月4日、アモルファス酸化物半導体「InGaZnOx」(IGZO)のトランジスタである「IGZO-TFT」の電極に触媒金属を用いることで...
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東工大、水素と触媒反応を活用して低接触抵抗「IGZO-TFT」の開発に成功東京工業大学(東工大)は4月4日、アモルファス酸化物半導体「InGaZnOx」(IGZO)のトランジスタである「IGZO-TFT」の電極に触媒金属を用いることで...
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