窒化アルミニウム系の次世代パワー半導体デバイスの作製に成功 名大と旭化成 次世代パワー半導体などの材料として期待される窒化アルミニウム(AlN)系材料を使い半導体の基本構造である「pn接合」を作製することに名...

パワー半導体を安価に製造　東大発新興、コスト75%減東京大学発のGaianixx(ガイアニクス、東京・文京)は、電圧や電流を調整するパワー半導体の製造で使う「中間膜」と呼ぶ素材を開発した。安価なシリコン基板に炭化...

経済産業省は30日、NTTが主導する光技術を使った次世代半導体の研究開発に最大452億円を支援すると正式に発表した。光半導体は、NTTが掲げる次世代通信基盤「IOWN(アイオン)」の中核となる技術の一つで、NTTは政府の...

次世代パワー半導体材料「r―GeO2」でゲームチェンジ狙う■立命館大学発スタートアップが目指す 次世代パワー半導体材料の開発が加速している。現在主流のシリコンよりも優れたエネルギーの低損失や高耐圧を実現すべ...

掲載日 2023/12/08 23:05 著者:服部毅 ロームと東芝デバイス&ストレージ(東芝D&S)は12月8日、経済産業省(経産省)の「半導体の安定供給確保のための取組に関する計画(供給確保計画)」に共同申請していたパワー半導体...

〝究極〟のパワー半導体実現へ、筑波大がサファイアの電気伝導に室温で成功筑波大学の奥村宏典助教らの研究グループは、絶縁体であるサファイア(酸化アルミニウム)の室温での電気伝導に成功した。サファ...

信越化学など､パワー半導体素材の新製法　コスト9割超減 半導体ウエハー最大手の信越化学工業とATMや通信機器を手掛けるOKIは窒化ガリウム(GaN)を使ったパワー半導体の素材を低コストでつくる技術を開発した。従来...

東芝買収参加と宮崎の生産拠点建設で、ロームが見せるパワー半導体覇権確立への「本気」■ロームが東芝買収に参加した真の意図は? 8月8日、日本産業パートナーズ(JIP)による東芝株の株式公開買い付け(TOB)が始まった...

自動車部品大手のデンソーと台湾ファウンドリー(半導体の受託製造)大手の聯華電子(UMC)の日本子会社、ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン(横浜市、USJC)は10日、300ミリメートルウエハーでの絶縁ゲートバイポ...

電力制御に使う「パワー半導体」を巡り、メーカー間の投資合戦が過熱している。電気自動車(EV)や家電など、さまざまな機器や装置の省エネを実現するパワー半導体は、脱炭素化のキーデバイスと目されており、日本が優...

半導体の世界的な供給不足や経済安全保障の問題を受け、日本で半導体産業が注目されている。ただし、次世代半導体の国産化を目指すRapidus(ラピダス)を中心とした演算用の先端ロジック半導体の話題だ。日本がまだ強...

2022年05月17日 15時45分 公開　[村尾麻悠子,EE Times Japan] ルネサス エレクトロニクス(以下、ルネサス)は2022年5月17日、2014年10月に閉鎖した甲府工場(山梨県甲斐市)を、300mmウエハー対応のパワー半導体生産ラ...

NTTが世界初の窒化アルミ電界効果トランジスタ、高温高耐圧「パワー半導体」実現へNTT物性科学基礎研究所の広木正伸主任研究員と谷保芳孝上席特別研究員らは、窒化アルミニウムの電界効果トランジスタを開発した。絶...

NTTが世界初の新型トランジスタ　次世代パワー半導体の実験成功 NTT物性科学基礎研究所は、窒化アルミニウムの半導体でトランジスタを作って動かす実験に世界で初めて成功したと発表した。将来的に電力ロスをこれま...

NTT物性科学基礎研究所は、窒化アルミニウムの半導体でトランジスタを作って動かす実験に世界で初めて成功したと発表した。将来的に電力ロスをこれまでのシリコン半導体の5%以下に抑えられる可能性があり、脱炭素に...

世界初の「パワー半導体ダイオード」製品化へ、最大1200ボルトの電圧に耐えるタムラ製作所子会社が開発 タムラ製作所の子会社で半導体開発のノベルクリスタルテクノロジー(埼玉県狭山市、倉又朗人社長)は、酸化ガリ...

三菱電機は2022年6月めどに生産を終了する熊本県の液晶モジュール工場をパワー半導体などの製造に転用する。...

※ニュースイッチ by 日刊工業新聞社 鉛フリーで200℃耐熱、パワー半導体用ハンダ量産へ タムラ製作所が開発次世代パワー半導体向けの鉛フリーハンダ タムラ製作所は実装後にハンダ周囲の温度が200度Cまで上昇しても...

東芝、次世代パワー半導体を1チップで制御できるドライバICを開発著者:小林行雄 東芝は10月29日、GaNやSiCなどの次世代パワー半導体の制御を1チップで実現するドライバICを開発したことを発表した。同技術の詳細は20...

JSTなど、SiCパワー半導体の高発熱密度化に対応した冷却システムを開発著者:波留久泉 科学技術振興機構(JST)、大阪大学発のベンチャーであるロータス・サーマル・ソリューション、山口東京理科大学(山口理科大)の3者...

三菱電機は広島県福山市の電力制御用パワー半導体工場に同社初の12インチ(300ミリメートル)ウエハーラインを新設する。シャープから買い取った工場をパワー半導体製造向けに転換する工事中で、11月の稼働開始を予定...

豊田通商が関学大、次世代パワー半導体基板の欠陥を無効化する技術豊田通商は関西学院大学と共同で、次世代パワー半導体材料の炭化ケイ素(SiC)基板の欠陥を無効化する「Dynamic AGE―ing(ダイナミック・エイジング)...

人工ダイヤ使い高出力半導体開発 共同通信 | 2021年4月20日(火) 19:28佐賀大の嘉数誠教授が作製に成功した、人工ダイヤモンドを使ったパワー半導体佐賀大(佐賀市)の嘉数誠教授(半導体工学)は20日、人工ダイヤモンド...

2021年3月8日、韓国・ヘラルド経済は「これまで日本が独占してきたパワー半導体のテストシステムを韓国の研究チームが開発した」と伝えた。記事によると、韓国電気研究院は8日、電力半導体研究センターの研究チーム...

三菱電機<6503.T>は11日、シャープ<6753.T>から福山事業所(広島県福山市)の一部の土地と建屋などを取得し、パワー半導体製品を製造するパワーデバイス製作所の製造拠点を新設すると発表した。土地などの取得と今後の...