【メモリ】次世代メモリ開発の加速に向けSOT方式に適した新材料を東工大などが開発
次世代メモリ開発の加速に向けSOT方式に適した新材料を東工大などが開発著者:波留久泉
東京工業大学(東工大)は2月15日、高いスピン流生成効率と高い熱耐久性を両立するハーフホイスラー型トポロジカル半金属(HHA-TSM)の一種である、イットリウム・プラチナ・ビスマスからなる「YPtBi」薄膜の作製およびその動作実証に成功したことを発表した。
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