【半導体】キオクシア、112層フラッシュメモリーを開発【3D TLC】
半導体大手のキオクシア(旧東芝メモリ)は31日、112層の記憶素子を積層したフラッシュメモリーを試作したと発表した。回路技術などを最適化して、現行の96層品に比べ単位面積あたりの記憶容量を約20%向上した。協業先の米ウエスタンデジタル(WD)と共同開発した。試作品の容量は512ギガ(ギガは10億)ビットで、1つの記憶素子に3ビットを記録する。
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