★科学ニュース+ 07/04 23:20 14res 平均投稿時速:0.0res/h 対板現在投稿率:0.0% 2NNのURL 高密度メモリーに道…東大、交替磁性体ドメイン制御に成功 ニュースイッチ 高密度メモリーに道…東大、交替磁性体ドメイン制御に成功東京大学の刘哲源大学院生と中島多朗准教授、益田隆嗣教授らは、交替磁性体の磁気ドメインを磁場で制御することに成功した。交替磁性体の漏れ磁場は強磁性体の1万分の1と、無視できるほど小さいことも確かめられた。交替磁性体は漏れ磁場の小ささを生かした高密度集積デバイスへの応用が期待されている。 >>続きを読む