400ピコ秒の書込速度を実現した新型フラッシュメモリ「PoX」、復旦大学が開発(Nature)

400ピコ秒の書込速度を実現した新型フラッシュメモリ「PoX」、復旦大学が開発復旦大学の研究チームは4月17日、データの書き込み速度400ピコ秒を可能とした新たなフラッシュメモリ「PoX」を開発したことを発表した。詳細は4月16日付で科学誌「Nature」に「Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection」というタイトルで掲載された。