【材料】金大、従来より12.5倍平坦な界面のダイヤモンドMOSFETの開発に成功
金大、従来より12.5倍平坦な界面のダイヤモンドMOSFETの開発に成功金沢大学(金大)は2月17日、完全に平坦なダイヤモンド表面をMOS界面に有するダイヤモンドMOSFETを作製することに成功したと発表した。同成果は、金大 ナノマテリアル研究所の德田規夫教授、金大 自然科学研究科 電子情報科学専攻/卓越大学院の小林和樹大学院生、産業技術総合研究所(産総研) 先進パワーエレクトロニクス研究センターの牧野俊晴研究チーム長らの国際共同研究チームによるもの。
