【物理】東大など、フラーレン1分子の電子放出位置を1nm以下で制御することに成功
東大など、フラーレン1分子の電子放出位置を1nm以下で制御することに成功東京大学(東大)と科学技術振興機構(JST)の両者は3月1日、大きさが1nm程度のフラーレンを固体上に配置し、そこに電子を通過させる際に光を照射することで、同分子から放出される電子の位置を1nm以下のスケールで制御することに成功したと共同で発表した。
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東大など、フラーレン1分子の電子放出位置を1nm以下で制御することに成功東京大学(東大)と科学技術振興機構(JST)の両者は3月1日、大きさが1nm程度のフラーレンを固体上に配置し、そこに電子を通過させる際に光を照射することで、同分子から放出される電子の位置を1nm以下のスケールで制御することに成功したと共同で発表した。
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