窒化アルミニウム系の次世代パワー半導体デバイスの作製に成功 名大と旭化成 次世代パワー半導体などの材料として期待される窒化アルミニウム(AlN)系材料を使い半導体の基本構造である「pn接合」を作製することに名...

出力密度2倍の窒化ガリウムHEMT、住友電工が新結晶技術で開発住友電気工業は新しい結晶技術を使い、出力密度を従来比2倍に高めた窒化ガリウム製トランジスタ(HEMT)を開発した。新エネルギー・産業技術総合開発機構(N...

次世代半導体素材「窒化ガリウム」は社会をどう変えるか■名古屋大・天野浩氏が率いる先端研究に迫る発光ダイオード(LED)照明から空飛ぶ車まで、「次世代半導体素材」として注目を集める窒化ガリウム(GaN)。名古屋大...

アンカー・ジャパンは6日、都内で「Anker Power Conference '19 Summer」と題する発表会を開催。多様な機器に最適な速度で充電できる同社技術「PowerIQ 3.0」を公表するとともに、GaN(窒化ガリウム)採用のACアダプタ...

【独自】「日の丸」基幹部品　搭載見送りへ　イージス・アショア 政府が配備を決めた、陸上型迎撃ミサイルシステム「イージス・アショア」に、日本企業が開発した基幹部品の搭載が見送られる方向であることがわかっ...

岸川 諒子氏(産業技術総合研究所 物理計測標準研究部門)と川崎 繁男(JAXA宇宙科学研究所)らからなる共同研究チームは、窒化ガリウムダイオードとシリコン高周波整合回路を混成したHySIC(Hybrid Semiconductor Integr...